28일 업계에 따르면 삼성전자는 30일 차세대 GAA 기반 나노 반도체 공정 양산 사실을 공식 발표한다. GAA는 기존 핀펫(FinFET)보다 칩 면적을 축소하고 소비 전력도 줄인 기술이다. 삼성전자가 GAA 기반 3나노 반도체를 올 상반기 내에 양산하겠다고 공언한 기존 약속을 결국 지킨 셈이다. 이는 각각 올 하반기, 내년 하반기를 양산 목표 시점으로 내세운 TSMC·인텔보다 한참 빠른 일정이다.
이 기술은 특히 지난달 20일 삼성전자 평택 공장을 찾은 조 바이든 미국 대통령이 시제품에 서명하면서 유명해졌다. 이재용 삼성전자 부회장은 당시 이 제품을 윤석열 대통령과 바이든 대통령에게 직접 소개했다.
최첨단 기술이라 그간 업계 일각에서는 삼성전자가 수율 문제로 3나노 반도체 양산을 미루는 게 아니냐는 우려도 나왔다. 실제로 올 초에는 초미세 공정 파운드리 수율 문제로 주요 고객사가 이탈했다는 소문도 돌았다. 전자 업계에서는 "시장의 부정론은 기우로 끝났다"는 평가가 나온다.
삼성전자가 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 세계 최초 양산을 하는 이유는 ‘2030 시스템반도체 1위 비전’에 더 빨리 다가서기 위해서다. 3나노 공정은 칩 위탁 생산에서 활용하는 반도체 제조 공법을 말한다.
기존 5나노, 4나노 기술보다 미세하고 정확하게 회로를 만들어낼 수 있다. 특히 삼성은 3나노 양산으로 트랜지스터의 모든 면에서 전류가 흐르는 게이트올어라운드(GAA) 제조 공정을 실현하겠다고 예고한 바 있다. 이 기술로 칩을 만들면 기존 3개 면에서 전류가 흐르는 핀펫(FinFET) 대비 데이터처리 속도가 훨씬 빨라질 수 있다.
삼성전자는 파운드리 라이벌인 대만 TSMC보다 먼저 3나노 공정을 구현하게 됐다. 첨단 기술 서비스를 이용하고 싶어하는 미국·유럽 대형 고객사를 확보하는 데 상당히 유리한 고지를 점할 수 있게 된 것이다.
송정은 기자 blue1004sje@dailiang.co.kr
